半导体器件的制备方法和半导体器件
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种半导体器件的制备方法和半导体器件，涉及半导体技术领域，该半导体器件包括衬底、外延材料层、源极、漏极、栅极以及背金层，并在外延材料层内的部分区域形成导电区，然后完成半导体器件正面工艺，最后完成背面工艺，在衬底上刻蚀形成通孔，并形成背金层。相较于现有技术，本发明通过使部分外延材料层具备导电特性，使得在形成源极通孔时无需刻蚀外延材料层，并且外延材料层作为刻蚀停止层，在刻蚀完成后不存在金属电极过刻蚀的问题，避免了过刻蚀工艺可能带来的背孔塌陷和背孔金属分层等技术问题，保证了器件良品率和器件性能。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件的制备方法和半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114447105A
申请号 ：
CN202210357155.5
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2022-04-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杨天应许建华
申请人 ：
深圳市时代速信科技有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市福田区福保街道福保社区广兰道6号顺仓物流中心三层(深装总大厦A座3楼318-320)
代理机构 ：
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
梁晓婷
优先权 ：
CN202210357155.5
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L21/335 H01L29/778
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20220407
申请日 : 20220407
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
