半导体器件和半导体器件的制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种半导体器件和半导体器件的制备方法，涉及半导体技术领域，该半导体器件包括衬底、半导体层、源极金属、漏极金属和栅极金属，将源极金属、漏极金属和栅极金属间隔分布在电极分布区内，且栅极金属设置在源极金属和漏极金属之间的沟道区域，同时沟道区域的中部设置有第一隔离区，第一隔离区对应的半导体层为具有绝缘特性的第一绝缘层，从而使得第一隔离区内形成了第一无源散热区。在器件运行时，由于设置有第一隔离区，第一隔离区内为绝缘特性，故第一隔离区内不会因为电流经过而产生热量累计，并且第一隔离区位于沟道区域的中部，能够降低器件中心区域的热累计，降低整个器件的热量集中度，改善器件的热分布。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件和半导体器件的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114420657A
申请号 ：
CN202210321329.2
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2022-03-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
许建华乐伶聪杨天应
申请人 ：
深圳市时代速信科技有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市福田区福保街道福保社区广兰道6号顺仓物流中心三层(深装总大厦A座3楼318-320)
代理机构 ：
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
杨勋
优先权 ：
CN202210321329.2
主分类号 ：
H01L23/48
IPC分类号 ：
H01L23/48 H01L23/488 H01L21/768 H01L21/60
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/48
申请日 : 20220330
申请日 : 20220330
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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