半导体器件和半导体器件的制备方法

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摘要

本发明提供了一种半导体器件和半导体器件的制备方法，涉及半导体技术领域，该半导体器件在半导层远离衬底的一侧设置第一导热层，第一导热层设置在电极分布区，并至少部分设置在源极和漏极之间，且第一导热层的分布特征与工作状态下电极分布区的温度分布等高线图相适配，以使第一导热层由电极分布区的热量聚集中心向四周扩散。通过额外设置由热量聚集中心向四周扩散的第一导热层，使得电极分布区的热分布更加均匀，电极分布区内产生的热量能够适应性地由第一导热层进行热传导，并由温度最高的中心区域向四周传导，增强了电极分布区的散热能力。相较于现有技术，本发明提供的半导体器件，能够提升器件整体的热均匀性，并增强器件正面的散热能力。

基本信息

专利标题：

半导体器件和半导体器件的制备方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN114141736A

申请号：

CN202210117112.X

公开（公告）日：

2022-03-04

申请日：

2022-02-08

授权号：

CN114141736B

授权日：

2022-05-06

发明人：

许建华乐伶聪杨天应

申请人：

深圳市时代速信科技有限公司

申请人地址：

广东省深圳市福田区福保街道福保社区广兰道6号顺仓物流中心三层(深装总大厦A座3楼318-320)

代理机构：

北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)

代理人：

梁晓婷

优先权：

CN202210117112.X

主分类号：

H01L23/48

IPC分类号：

H01L23/48 H01L23/488 H01L21/768 H01L21/60