半导体器件及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种半导体器件及其制备方法，通过在漂移区的第一表层设置具有第一端和第二端的电阻结构，并设置至少两个与各体区一一对应的栅源结构，栅源结构的栅极区覆盖体区形成的沟道并延伸覆盖至体区，相邻两个栅源结构包括第一栅源结构和第二栅源结构，第一栅源结构的栅极区与第一端连接，第一栅源结构的漏极区与第二端与电连接，相当于在第一栅源结构的栅极区和漏极区之间并联了一个电阻，并在第一栅源结构所形成的场效应管中并联了第二栅源结构所形成的场效应管，如此当半导体器件应用于半导体芯片时，则无需在半导体芯片内额外集成电阻和场效应管，便于调整电阻阻值，且能够降低半导体芯片的制造成本。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114267717A
申请号 ：
CN202111408155.5
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2021-11-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
魏国栋李杰李佳玲
申请人 ：
深圳深爱半导体股份有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市龙岗区宝龙工业城宝龙七路3号
代理机构 ：
华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
赖远龙
优先权 ：
CN202111408155.5
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/78 H01L21/336
法律状态
2022-04-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20211119
申请日 : 20211119
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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