半导体器件及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种半导体器件及其制备方法，通过在漂移区的第一表层设置具有第一端和第二端的电阻结构，并将第一端与栅极区电连接，第二端与漏极区电连接，相当于在栅极区和漏极区之间并联了一个电阻，如此当半导体器件应用于半导体芯片时，则无需在半导体芯片内额外集成电阻，通过将电阻集成在半导体器件中，便于调整电阻阻值，且能够降低半导体芯片的制造成本。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114267716A
申请号 ：
CN202111400001.1
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2021-11-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
魏国栋李杰李佳玲
申请人 ：
深圳深爱半导体股份有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市龙岗区宝龙工业城宝龙七路3号
代理机构 ：
华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
赖远龙
优先权 ：
CN202111400001.1
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/78 H01L21/336
法律状态
2022-04-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20211119
申请日 : 20211119
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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