本发明的实施例提供了一种半导体器件和半导体器件的制备方法，涉及半导体技术领域，该半导体器件包括衬底、半导体外延层、源极、漏极、栅极和源场板，源场板的一端设置有第一欧姆金属，在半导体外延层上还形成有第一电阻区，由非金属构成，并具有导电性，第一欧姆金属与源极通过第一电阻区电学连接。相较于现有技术，本发明通过设置第一欧姆金属，第一欧姆金属与源极通过第一电阻区电学连接，从而实现了源场板和源极之间的电学连接，无需额外设置连接金属桥结构，避免了连接金属桥部分产生栅极‑源极寄生电容，同时使得介质层覆盖能够更加完整，并避免了应力集中的问题，提升了器件的抗湿气能力。