半导体器件及其制备方法

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摘要

一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域。该半导体器件包括衬底；设于衬底上的半导体层，半导体层包括有源区和无源区；设于有源区上的源极、漏极以及栅极，其中，栅极位于源极和漏极之间；设于无源区上的栅极焊盘和漏极焊盘，漏极与漏极焊盘金属连接，栅极和栅极焊盘金属连接；以及设于源极上的源极测试焊盘。该半导体器件能够缩小半导体器件面积，提升半导体器件的集成度，并具有高抗湿气能力。

基本信息

专利标题：

半导体器件及其制备方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN113437040A

申请号：

CN202110724954.7

公开（公告）日：

2021-09-24

申请日：

2021-06-29

授权号：

CN113437040B

授权日：

2022-05-31

发明人：

杨天应刘丽娟

申请人：

深圳市时代速信科技有限公司

申请人地址：

广东省深圳市前海深港合作区前湾一路1号A栋201室（入驻前海商务秘书有限公司）

代理机构：

北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)

代理人：

崔熠

优先权：

CN202110724954.7

主分类号：

H01L23/482

IPC分类号：

H01L23/482 H01L23/544 H01L21/60