本发明涉及一种半导体结构、半导体器件及其制备方法。半导体结构的制备方法包括：提供衬底；于衬底内形成初始凹槽，初始凹槽内具有尖锐拐角；对初始凹槽进行平滑处理，以去除尖锐拐角，得到具有光滑内壁的沟槽。在上述半导体结构的制备方法中，通过将初始凹槽中的尖锐拐角进行平滑处理，可以去除所有尖锐拐角，形成具有光滑内壁的沟槽，从而可以防止电场线在尖锐拐角处集中，避免出现局部电场强度过高从而击穿介电层的情况，提高半导体结构的可靠性。并且，与尖锐拐角相比，光滑的沟槽内壁对电流通路具有明显的扩展作用，降低了导通电阻。