半导体结构和半导体结构的制备方法
实质审查的生效
摘要
本申请提供一种半导体结构和半导体结构的制备方法，涉及半导体制造技术领域，以解决现有的埋入式字线和掺杂区之间存在较大寄生电容的技术问题。该半导体结构包括：衬底，所述衬底中具有沟槽隔离结构，藉由所述沟槽隔离结构于所述衬底中隔离出若干个有源区；字线沟槽，所述字线沟槽开设在所述有源区中；掺杂区，设置在所述字线沟槽两侧，与所述字线沟槽位于同一有源区中；位于相邻所述字线沟槽之间的掺杂区与所述字线沟槽之间设置有预设间距。本申请能够降低埋入式字线与掺杂区之间的寄生电容，提高半导体结构的存储速度。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构和半导体结构的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114446964A
申请号 ：
CN202210042194.6
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2022-01-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
秦文颖
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 ：
北京同立钧成知识产权代理有限公司
代理人 ：
尚广云
优先权 ：
CN202210042194.6
主分类号 ：
H01L27/108
IPC分类号 ：
H01L27/108 H01L21/8242
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/108
申请日 : 20220114
申请日 : 20220114
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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