半导体结构及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本公开提供一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构包括一基底，界定有一主动区。一第一栅极结构设置在该主动区中，并包含一介电材料。一第二栅极结构设置在该主动区中，并包含该介电材料。一鳍式结构具有一第一上表面，该第一上表面与该第一栅极结构与该第二栅极结构交错设置。该第一栅极结构具有一第二上表面，以及该第二栅极结构具有一第三上表面。该第二上表面与该第三上表面低于该第一上表面。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334978A
申请号 ：
CN202110978639.7
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-08-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郑闵中
申请人 ：
南亚科技股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新北市
代理机构 ：
隆天知识产权代理有限公司
代理人 ：
聂慧荃
优先权 ：
CN202110978639.7
主分类号 ：
H01L27/108
IPC分类号 ：
H01L27/108
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/108
申请日 : 20210824
申请日 : 20210824
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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