半导体结构及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种半导体结构，包括：基底；第一介质层，第一介质层位于基底的上表面；电容，电容沿第一介质层厚度方向贯穿第一介质层，并延伸至第一介质层的上表面，且与选择开关晶体管的漏极电连接；第二介质层，位于第一介质层上表面；第一金属层，位于第二介质层的上表面；第一导电插塞，位于导电金属层的上表面并与导电金属层电连接；第三介质层，位于第二介质层的上表面；第二金属层，第二金属层包括位线，位于第三介质层的上表面，且与板线金属层电连接。本申请使得电容面积脱离半导体器件面积的限制，在单位微缩的情况下仍能够保持足够大的电容，极大提升单元存储性能。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334970A
申请号 ：
CN202011062694.3
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2020-09-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郭崇永金兴成
申请人 ：
无锡华润微电子有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市太湖国际科技园菱湖大道180号-6
代理机构 ：
华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
史治法
优先权 ：
CN202011062694.3
主分类号 ：
H01L27/108
IPC分类号 ：
H01L27/108 H01L21/8242
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/108
申请日 : 20200930
申请日 : 20200930
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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