半导体结构的制备方法以及半导体结构
公开
摘要
本发明公开了一种半导体结构的制备方法以及半导体结构，该方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上存在间隙；在所述半导体衬底上形成保护层；在所述保护层上沉积BPSG膜，以通过所述BPSG膜对所述半导体衬底上的间隙进行填充；对间隙填充后的半导体衬底进行退火处理，以制备所述半导体结构。上述方案中，通过BPSG膜对半导体衬底上的间隙进行填充，由于BPSG膜具有优异的阶梯覆盖度，可以完全填充狭窄的间隙且形成致密的薄膜。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构的制备方法以及半导体结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114597159A
申请号 ：
CN202011412421.7
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2020-12-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金志勋项金娟李亭亭刘青
申请人 ：
中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
北京华沛德权律师事务所
代理人 ：
房德权
优先权 ：
CN202011412421.7
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768 H01L23/528 H01L23/532
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
