半导体结构的制备方法
授权
摘要
本申请涉及一种半导体结构的制备方法，包括：在硅衬底上形成接触金属层；执行等离子体处理工艺，在接触金属层的表面形成隔氧层；执行硅化反应工艺，将接触金属层转化为金属硅化物层。上述半导体结构的制备方法，通过等离子体工艺在接触金属层的表面形成隔氧层以达到隔绝氧元素的目的，从而减少后续金属硅化物层表面的氧化层形成，进而降低了金属与非金属的接触电阻，提高了器件良率；并且，上述制备方法工艺步骤简单，有利于提高机台的使用效率，且避免了金属靶材的使用，有利于降低生产成本。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113078102A
申请号 ：
CN202110313214.4
公开（公告）日 ：
2021-07-06
申请日 ：
2021-03-24
授权号 ：
CN113078102B
授权日 ：
2022-04-29
发明人 ：
张标
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 ：
广州华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
姚忠琦
优先权 ：
CN202110313214.4
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2022-04-29 ：
授权
2021-07-23 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/768
申请日 : 20210324
申请日 : 20210324
2021-07-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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