半导体结构的制备方法
实质审查的生效
摘要
本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体结构的制备方法，包括以下步骤：在所述半导体衬底上形成金属互连线；在所述金属互连线的上方形成第一IMD层，图案化所述第一IMD层，以形成贯穿所述第一IMD层的第一半过孔；在所述第一IMD层的上方形成第二IMD层，图案化所述第二IMD层，以形成贯穿所述第二IMD层的第二半过孔；其中，所述第一半过孔的位置与第二半过孔的位置对应，且第一半过孔与第二半过孔连通构成过孔。通过沉积两次IMD层，这样过孔可以通过2次刻蚀形成，使得过孔的上部尺寸得以控制，解决了金属互连线与IMD的信赖度变差的问题，提高了器件的性能。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334802A
申请号 ：
CN202011061641.X
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2020-09-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李南照高建峰白国斌刘卫兵李俊杰
申请人 ：
中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
北京辰权知识产权代理有限公司
代理人 ：
金铭
优先权 ：
CN202011061641.X
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/768
申请日 : 20200930
申请日 : 20200930
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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