半导体结构及其制备方法
公开
摘要
一种半导体结构，包括存储阵列、阶梯单元、导电桥接结构、字线驱动器以及导电布线。存储阵列设置在半导体结构的阵列区中并且包括字线。阶梯单元配置于被阵列区围绕的阶梯区中。阶梯单元包括从存储阵列的字线延伸的第一阶梯台阶和第二阶梯台阶。第一阶梯台阶和第二阶梯台阶彼此面对。导电桥接结构电连接第一阶梯台阶与第二阶梯台阶。字线驱动器设置于存储阵列与阶梯单元下方，其中字线驱动器的中央部分与阶梯单元的中央部分交叠。导电布线从第一阶梯台阶和第二阶梯台阶延伸到字线驱动器。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284295A
申请号 ：
CN202111198977.5
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-10-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杨柏峰杨世海吕士濂黄家恩王奕林佑明
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号（邮递区号30078）
代理机构 ：
北京派特恩知识产权代理有限公司
代理人 ：
薛恒
优先权 ：
CN202111198977.5
主分类号 ：
H01L27/1159
IPC分类号 ：
H01L27/1159 H01L27/11597 H01L27/11587
法律状态
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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