半导体结构及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种半导体结构及其制备方法，所述半导体结构的制备方法包括：提供一衬底；提供第一光阻层，以第一光阻层为掩膜对衬底进行刻蚀和填充，形成多个浅沟槽隔离结构；未用光罩对衬底进行P型离子注入，形成无光罩P型阱；提供第二光阻层，以第二光阻层为掩膜进行N型离子注入，形成多个间隔分布的中压晶体管N型区域以及位于每个中压晶体管N型区域下方的深N型阱区；提供第三光阻层，以第三光阻层为掩膜进行P型离子和N型离子注入，形成多个中压晶体管P型区域以及位于每个中压晶体管P型区域下方的深N型阱区；对衬底进行高温退火，使得深N型阱区连接在一起。本发明的半导体结构的制备方法可以节省使用的光罩数量，缩短工艺周期。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114496925A
申请号 ：
CN202210336009.4
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-04-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
孟娟许春龙杨宗凯陈信全李波
申请人 ：
晶芯成（北京）科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司
申请人地址 ：
北京市大兴区北京经济技术开发区科创十三街29号院一区2号楼13层1302-C54
代理机构 ：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
曹廷廷
优先权 ：
CN202210336009.4
主分类号 ：
H01L21/8238
IPC分类号 ：
H01L21/8238 H01L21/027 H01L21/265 H01L21/324 H01L21/762
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
H01L21/8238
互补场效应晶体管，例如CMOS
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/8238
申请日 : 20220401
申请日 : 20220401
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
