半导体结构及其制备方法
公开
摘要
本发明涉及一种半导体结构及其制备方法。半导体结构的制备方法包括：提供衬底，于衬底上依次形成栅介质层、第一栅极层和第二栅极层；形成侧墙材料层，侧墙材料层覆盖栅介质层的上表面、第一栅极层的顶部和侧壁以及第二栅极层的顶部和侧壁；刻蚀侧墙材料层，以于第一栅极层的侧壁和第二栅极层的侧壁形成具有第一宽度的第一偏移侧墙；减薄位于第一栅极层侧壁的第一偏移侧墙，以在第一栅极层的侧壁形成具有第二宽度的第二偏移侧墙，第二宽度小于第一宽度。上述半导体结构的制备方法可以在不同的栅极层两侧形成不同宽度的偏移侧墙，可以实现对不同晶体管的器件电流值和DIBL值进行调整，使其满足设计要求。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582806A
申请号 ：
CN202210491585.6
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-05-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈兴黄普嵩
申请人 ：
合肥新晶集成电路有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市新站区综合保税区内西淝河路88号
代理机构 ：
华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
吕少华
优先权 ：
CN202210491585.6
主分类号 ：
H01L21/8238
IPC分类号 ：
H01L21/8238 H01L27/092
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
H01L21/8238
互补场效应晶体管，例如CMOS
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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