半导体结构制备方法及半导体结构
公开
摘要
本申请涉及一种半导体结构制备方法及半导体结构，包括：提供衬底，于所述衬底内形成浅沟槽；采用热氧化工艺形成覆盖所述浅沟槽的底部和侧壁的衬垫层；采用沉积工艺于所述衬垫层的表面形成第一氧化层；填充所述浅沟槽。本申请中采用热氧化工艺形成覆盖所述浅沟槽的底部和侧壁的衬垫层，可以消除刻蚀浅沟槽的过程形成的损伤；采用沉积工艺于所述衬垫层的表面形成第一氧化层，可以与所述衬垫层一起为后续填充所述浅沟槽时提供保护层。由于沉积工艺形成第一氧化层的过程中不会消耗衬底中的硅，避免在沟槽底部的拐角处形成较厚的氧化硅对有源区施加应力，同时避免导致STI结构产生顶部翘曲现象，从而有效地提高了制备半导体器件结构的性能。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构制备方法及半导体结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582793A
申请号 ：
CN202011380582.2
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2020-11-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
钱忠健陈晓亮陈天
申请人 ：
无锡华润微电子有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市太湖国际科技园菱湖大道180号-6
代理机构 ：
华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
杨明莉
优先权 ：
CN202011380582.2
主分类号 ：
H01L21/762
IPC分类号 ：
H01L21/762
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/76
组件间隔离区的制作
H01L21/762
介电区
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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