半导体结构及其制备方法
授权
摘要
本发明涉及一种半导体结构及其制备方法，半导体结构的制备方法包括：提供衬底，于衬底内形成沟槽；采用原子层沉积工艺于沟槽内形成填充介质层，形成填充介质层的同时于填充介质层内形成空气隙。本发明的半导体结构的制备方法通过在沟槽内的填充介质层内形成空气隙，可以减少寄生电容的产生，从而提高器件的性能及能源效率；采用原子层沉积工艺于沟槽内形成填充介质层的同时于填充介质层内形成空气隙，工艺步骤简单，可以节约成本，提高生产效率。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112736022A
申请号 ：
CN201910971860.2
公开（公告）日 ：
2021-04-30
申请日 ：
2019-10-14
授权号 ：
CN112736022B
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
郑孟晟赵堃
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
广州华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
李鑫
优先权 ：
CN201910971860.2
主分类号 ：
H01L21/762
IPC分类号 ：
H01L21/762 H01L21/764 H01L21/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/76
组件间隔离区的制作
H01L21/762
介电区
法律状态
2022-05-10 ：
授权
2021-05-21 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/762
申请日 : 20191014
申请日 : 20191014
2021-04-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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