半导体结构及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本申请实施例涉及一种半导体结构及其制备方法。该方法包括：提供基底；于基底的上表面形成栅极结构，栅极结构包括高介电常数层；于栅极结构的侧壁形成盖层结构；于基底上形成阻挡结构，阻挡结构覆盖栅极结构以及盖层结构外露的表面；其中，阻挡结构包括层叠的氧化物层和氮氧化物层。通过盖层结构以及包括层叠的氧化物层和氮氧化物层的阻挡结构，可以减少形成阻挡结构过程中扩散到高介电常数层中的氧原子，达到抑制窄宽度效应和减少氧原子对高介电常数层材料性能的影响，降低半导体结构的阈值电压，提高半导体结构性能的目的。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114530381A
申请号 ：
CN202210085373.8
公开（公告）日 ：
2022-05-24
申请日 ：
2022-01-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
薛东李宗翰
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 ：
华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
姚姝娅
优先权 ：
CN202210085373.8
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L29/78
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2022-06-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/336
申请日 : 20220125
申请日 : 20220125
2022-05-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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