半导体结构及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种半导体结构及其制备方法。一种半导体结构，包括：衬底、栅极结构以及侧壁结构。衬底包括有源区。栅极结构位于衬底的有源区上。栅极结构包括层叠设置的掩膜层、导电层和栅氧化层。侧壁结构设置在栅极结构的两侧。有源区包括有源区凸起。栅氧化层位于有源区凸起的上方。本公开实施例中，可以利用有源区凸起减少或消除因短沟道效应造成的栅极漏电流，以改善半导体结构的可靠性及使用寿命。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114361259A
申请号 ：
CN202210026289.9
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2022-01-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陆勇徐亚超李仁虎
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 ：
华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
成亚婷
优先权 ：
CN202210026289.9
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/10 H01L21/336
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20220111
申请日 : 20220111
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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