半导体结构及半导体结构的制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种半导体结构及半导体结构的制备方法，半导体结构包括：第一AlGaN/AlN/GaN异质结构，第一AlGaN/AlN/GaN异质结构中的AlN层与GaN层的界面处存在第一二维电子气沟道；第二AlGaN/AlN/GaN异质结构，第二AlGaN/AlN/GaN异质结构中的AlN层与GaN层的界面处存在第二二维电子气沟道；第三AlGaN/AlN/GaN异质结构，第三AlGaN/AlN/GaN异质结构中的AlN层与GaN层的界面处存在第三二维电子气沟道；第一二维电子气沟道中的电子浓度、第二二维电子气沟道中的电子浓度及第三二维电子气沟道中的电子浓度之间的差值小于预设值，进而调节载流子分布，以实现减小器件电阻值、减小反向漏电流和减小器件工作状态下的发热量的目的。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构及半导体结构的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114335175A
申请号 ：
CN202111367380.9
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-11-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
柳月波赖灿雄杨少华路国光
申请人 ：
中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室））
申请人地址 ：
广东省广州市增城区朱村街朱村大道西78号
代理机构 ：
华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
邓云鹏
优先权 ：
CN202111367380.9
主分类号 ：
H01L29/778
IPC分类号 ：
H01L29/778 H01L21/335
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/778
申请日 : 20211118
申请日 : 20211118
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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