半导体结构的制备方法和半导体结构

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摘要

本公开提供了一种半导体结构的制备方法和半导体结构，该制备方法包括：于衬底上形成第一图案层，第一图案层包括位于阵列区域上的第一图形和位于外围区域上的第二图形；于第一图案层上形成掩膜材料层，掩膜材料层包括位于外围区域上的第一掩膜材料层、位于边缘区域上的第二掩膜材料层及位于中心区域上的第三掩膜材料层，第二掩膜材料层大于第一掩膜材料层的厚度；确定边缘区域的位置及第二掩膜材料层和第三掩膜材料层的厚度差；根据边缘区域的位置和厚度差，修正第二掩膜材料层的厚度，修正后的第二掩膜材料层和第三掩膜材料层的厚度差位于目标厚度差的范围内；图案化修正后的掩膜材料层形成掩膜层，根据掩膜层图案化第一图案层，形成第二图案层。

基本信息

专利标题：

半导体结构的制备方法和半导体结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN113035696A

申请号：

CN202110213894.2

公开（公告）日：

2021-06-25

申请日：

2021-02-25

授权号：

CN113035696B

授权日：

2022-05-27

发明人：

吕游杨蕾

申请人：

长鑫存储技术有限公司

申请人地址：

安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号

代理机构：

北京律智知识产权代理有限公司

代理人：

王辉

优先权：

CN202110213894.2

主分类号：

H01L21/027

IPC分类号：

H01L21/027