本发明涉及一种半导体制备方法，包括：提供衬底；于衬底上形成阱区，于阱区内形成第一掺杂区，并于第一掺杂区表面形成第二掺杂区；刻蚀第二掺杂区所在衬底以形成引出区沟槽和窗口沟槽；于引出区沟槽的侧壁及底壁和窗口沟槽的侧壁上形成多晶材料层，多晶材料层填满引出区沟槽形成引出结构；刻蚀窗口沟槽的侧壁上的多晶材料层至指定深度以形成栅极多晶。多晶材料层只形成于窗口沟槽的侧壁上，无需在完整填充窗口沟槽后再将中心部位的多晶材料层去除，在本申请中，窗口沟槽内的多晶材料层在形成伊始就已经与最后形成的栅极多晶的厚度一致，对于多晶材料层的刻蚀改变的是多晶材料层的高度，彻底解决了多晶材料层的回刻问题。