半导体结构及其制备方法
授权
摘要
本发明涉及一种半导体结构的制备方法，包括：提供基底；于基底上形成若干个平行间隔排布的位线，位线沿第一方向延伸；于相邻位线之间形成电容接触材料层，电容接触材料层的上表面低于位线的上表面；于电容接触材料层上形成填充介质层；于填充介质层及位线上形成若干个平行间隔排布的第一掩膜图形，第一掩膜图形沿第二方向延伸，第二方向与第一方向相交；基于第一掩膜图形对填充介质层进行图形化处理，以于填充介质层内形成若干个凹槽；于凹槽内形成第二掩膜图形；基于第二掩膜图形对电容接触材料层进行图形化处理，以形成若干个平行间隔排布的圆柱形的电容接触结构。上述半导体结构的制备方法，通过制备圆柱形的电容接触结构改善DRAM的漏电问题。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113097144A
申请号 ：
CN202110342460.2
公开（公告）日 ：
2021-07-09
申请日 ：
2021-03-30
授权号 ：
CN113097144B
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
卢经文
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 ：
广州华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
史治法
优先权 ：
CN202110342460.2
主分类号 ：
H01L21/8242
IPC分类号 ：
H01L21/8242 H01L27/108
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
H01L21/8239
存储器结构
H01L21/8242
动态随机存取存储结构
法律状态
2022-05-27 ：
授权
2021-07-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/8242
申请日 : 20210330
申请日 : 20210330
2021-07-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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