半导体结构及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本公开提供了一种半导体结构及其制备方法。本公开提供的半导体结构包括：衬底；多个存储堆叠结构，位于衬底上，相邻的存储堆叠结构之间通过切割道彼此分隔；对准标记，位于衬底的暴露于切割道内的区域中，用于实现光学对准；以及虚设辅形结构，位于衬底上，并位于包含对准标记的切割道中。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114326338A
申请号 ：
CN202111661669.1
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
艾仙雄轩攀登方超魏禹农吁卫东袁元陈安
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
北京英思普睿知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘莹
优先权 ：
CN202111661669.1
主分类号 ：
G03F9/00
IPC分类号 ：
G03F9/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F9/00
原版、蒙片、片框、照片、图纹表面的对准或定位，例如自动地
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G03F 9/00
申请日 : 20211231
申请日 : 20211231
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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