半导体结构及其制备方法
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摘要
本发明实施例公开了一种半导体结构及其制备方法,所述半导体结构包括:位于衬底上的功能结构和第一标记结构,且功能结构与第一标记结构的特征尺寸相同;第一介质层位于功能结构和第一标记结构处,且位于功能结构处的厚度与位于第一标记结构处的厚度不同。本发明实施例能够提高制作工艺的对准准确度,同时提高产品良率和生产效率。
基本信息
专利标题 :
半导体结构及其制备方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN113467188A
申请号 :
CN202010236043.5
公开(公告)日 :
2021-10-01
申请日 :
2020-03-30
授权号 :
CN113467188B
授权日 :
2022-05-13
发明人 :
夏云升黄仁洲
申请人 :
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 :
安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 :
北京律智知识产权代理有限公司
代理人 :
孙宝海
优先权 :
CN202010236043.5
主分类号 :
G03F7/20
IPC分类号 :
G03F7/20 G03F9/00 H01L23/544
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F7/00
图纹面,例如,印刷表面的照相制版如光刻工艺;图纹面照相制版用的材料,如:含光致抗蚀剂的材料;图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2022-05-13 :
授权
2021-10-26 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G03F 7/20
申请日 : 20200330
申请日 : 20200330
2021-10-01 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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