掺杂半导体器件的制备方法及半导体器件
公开
摘要
本申请涉及一种掺杂半导体器件的制备方法及半导体器件。该掺杂半导体器件的制备方法包括：提供衬底，在衬底的正面和背面分别生长第一氧化层；通过湿法刻蚀的方式刻蚀掉衬底背面的第一氧化层和衬底正面周侧的第一氧化层；对衬底的正面和背面以及第一氧化层的正面和侧面进行涂覆，生成第一掺杂区；对衬底的正面和背面进行高温推结，在第一氧化层的正面、第一掺杂区的正面以及第一掺杂区的背面分别生长第二氧化层；通过干法刻蚀的方式刻蚀掉衬底正面的第一氧化层和第二氧化层；对衬底的正面进行扩散处理，生成第二掺杂区。本申请的双面涂覆方式设备成本造价低，具有更好的刻蚀均匀性且节省工序。
基本信息
专利标题 ：
掺杂半导体器件的制备方法及半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300348A
申请号 ：
CN202111665103.6
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
徐兴达任宏志
申请人 ：
北海惠科半导体科技有限公司
申请人地址 ：
广西壮族自治区北海市工业园区北海大道东延线336号广西惠科科技有限公司16幢三楼301室
代理机构 ：
北京华夏泰和知识产权代理有限公司
代理人 ：
石鸣宇
优先权 ：
CN202111665103.6
主分类号 ：
H01L21/225
IPC分类号 ：
H01L21/225 H01L21/223 H01L21/311
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/22
杂质材料的扩散，例如在半导体或半导体的交界区掺入或析出掺杂材料，电极材料；杂质材料的再分配，例如，不引入或去除过多的掺杂剂
H01L21/225
应用从固相向固体或从固体向固相的扩散法，例如掺杂氧化层
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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