半导体器件及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本申请提供一种半导体器件及其制备方法。该半导体器件包括衬底；半导体层，位于衬底上；源极、漏极和栅极，位于半导体层远离衬底的一侧，栅极位于源极和漏极之间，且与源极和漏极均具有间距；其中，栅极包括栅脚和与栅脚连接的栅板，栅板包括位于源极和栅脚之间的第一部分，以及位于栅脚和漏极之间的第二部分，第二部分的长度小于第一部分的长度。上述半导体器件能够兼顾满足高频率应用要求并降低栅极结构带来的寄生电容。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114520260A
申请号 ：
CN202011305351.5
公开（公告）日 ：
2022-05-20
申请日 ：
2020-11-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
尹成功吴星星
申请人 ：
苏州能讯高能半导体有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市昆山市玉山镇晨丰路18号
代理机构 ：
华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
杨明莉
优先权 ：
CN202011305351.5
主分类号 ：
H01L29/423
IPC分类号 ：
H01L29/423 H01L29/20 H01L29/778 H01L21/335
法律状态
2022-06-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/423
申请日 : 20201120
申请日 : 20201120
2022-05-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
