半导体器件及其制备方法
实质审查的生效
摘要
该发明公开了一种半导体器件及其制备方法，所述半导体器件的制备方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内形成有有源区和位于所述有源区之间的沟槽隔离结构；于所述有源区内形成第一凹槽；于所述第一凹槽内填充形成与所述有源区互为反型掺杂的反型多晶硅层；形成第二凹槽，所述第二凹槽贯穿所述多晶硅层和部分所述半导体衬底，保留位于所述第二凹槽侧面的部分所述反型多晶硅层；于所述第二凹槽内形成埋入式字线结构。根据本发明实施例的半导体器件制备方法，能够降低半导体器件的GIDL电流，提高半导体器件的性能和可靠性。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114267640A
申请号 ：
CN202010973871.7
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2020-09-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陆勇吴公一沈宏坤庞秋虎
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 ：
上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
孙佳胤
优先权 ：
CN202010973871.7
主分类号 ：
H01L21/8242
IPC分类号 ：
H01L21/8242 H01L27/108
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
H01L21/8239
存储器结构
H01L21/8242
动态随机存取存储结构
法律状态
2022-04-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/8242
申请日 : 20200916
申请日 : 20200916
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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