该发明公开了一种半导体器件的及其制备方法，制备方法包括：提供衬底，衬底内形成有字线结构，位线支撑层包括第一氧化物层和第一氮化层，位线结构形成在第一氮化物层内，第一氧化物层形成在位线结构两侧且位于第一氮化物层内；图形化支撑结构以在位线支撑层内形成与位线结构对应的第一通孔；沿第一通孔刻蚀位线支撑层至预设高度，调节刻蚀参数和刻蚀气体对氧化物层和氮化物层的选择刻蚀比，并对位线支撑层继续刻蚀，直至暴露位线结构，以在位线结构的上方形成聚合物层，聚合物层形成在第一通孔的部分侧壁上且位于位线结构的两侧。所述制备方法能够控制并改善形成的位线接触点和字线接触点的外部轮廓。