半导体器件及其制备方法
实质审查的生效
摘要
该发明公开了一种半导体器件及其制备方法，所述半导体器件的制备方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底形成有沟槽隔离结构和位于所述沟槽隔离结构之间的功能区；形成埋入式位线结构，所述埋入式位线结构形成在所述半导体衬底内；形成字线结构和有源区，所述字线结构和所述有源区形成在所述半导体衬底表面且位于所述功能区的上方。所述半导体器件的制备方法制备的半导体器件能够减小漏电流，并减小位线结构和电容器之间的寄生电容效应，性能好且可靠性高。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114373718A
申请号 ：
CN202011100761.6
公开（公告）日 ：
2022-04-19
申请日 ：
2020-10-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吴公一陆勇辛欣
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 ：
上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
孙佳胤
优先权 ：
CN202011100761.6
主分类号 ：
H01L21/8242
IPC分类号 ：
H01L21/8242 H01L27/108
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
H01L21/8239
存储器结构
H01L21/8242
动态随机存取存储结构
法律状态
2022-05-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/8242
申请日 : 20201015
申请日 : 20201015
2022-04-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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