半导体器件及其制备方法
公开
摘要
一种半导体器件的制备方法，包括以下步骤：提供一半导体衬底，在半导体衬底上形成多个栅极结构，所述栅极结构含有金属材料；将形成有栅极结构的半导体器件置于腔室中，升高腔室内的温度至一预设温度，向腔室中通入反应气体，所述反应气体为氮气，并保持预设时间以完成合金化处理。在合金化处理过程中采用惰性气体，避免活跃气体的使用导致的部分气体渗透到其他膜层使得电容器漏电，从而提高半导体器件的性能。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628333A
申请号 ：
CN202011443548.5
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2020-12-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
安重镒李相遇金成基李亭亭项金娟蒋浩杰罗英丁云凌
申请人 ：
中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
北京辰权知识产权代理有限公司
代理人 ：
金铭
优先权 ：
CN202011443548.5
主分类号 ：
H01L21/8242
IPC分类号 ：
H01L21/8242 H01L27/108
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
H01L21/8239
存储器结构
H01L21/8242
动态随机存取存储结构
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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