本发明提供一种半导体器件及其制备方法，制备方法包括如下步骤：提供半导体衬底，半导体衬底内具有浅沟槽及浅沟槽限定的有源区，有源区沿第一方向延伸；在第一方向上，在浅沟槽与有源区的界面处，形成隔离层，隔离层与有源区互为反型；在浅沟槽中形成浅沟槽隔离结构；形成字线结构，沿第二方向延伸，并依次穿过浅沟槽隔离结构及有源区。本发明的优点在于，所述隔离层与所述有源区形成PN结，则在字线结构开启后，所述PN结能够形成内建电场，避免该开启的字线结构与旁边的有源区上未开启的字线结构之间诱导形成PN结，避免了寄生电容的产生，从而避免了漏电流的产生，大大提高了半导体器件的电学性能，提高了半导体器件的良率。