半导体器件及其制备方法
公开
摘要
本申请提供一种半导体器件及其制备方法，该半导体器件包括设置于所述衬底上表面内的多行有源图案；第一隔离结构，设置于所述衬底上表面内且位于同一行的任意相邻两个所述有源图案之间；第二隔离结构，设置于所述衬底上表面内且位于任意相邻两行所述有源图案之间；所述第一隔离结构的深度大于所述第二隔离结构的深度，从而使得所述第一隔离结构位置处的字线等部件可以有更大的伸展空间，加强了接触效果，提升了器件的电学性能。另外，所述第一隔离结构的深度大于所述第二隔离结构的深度，使得深度较深的所述第一隔离结构对其四周的有源图案的下部的支撑力增加，大大降低了有源图案倒塌的风险。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628392A
申请号 ：
CN202210349195.5
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2022-04-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张钦福程恩萍
申请人 ：
福建省晋华集成电路有限公司
申请人地址 ：
福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号
代理机构 ：
北京聿宏知识产权代理有限公司
代理人 ：
陈超德
优先权 ：
CN202210349195.5
主分类号 ：
H01L27/108
IPC分类号 ：
H01L27/108 H01L21/8242 H01L21/762
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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