半导体器件的制备方法和半导体器件
授权
摘要
该发明公开了一种半导体器件的制备方法和半导体器件，所述制备方法包括：提供衬底；于所述衬底表面形成堆叠结构，所述堆叠结构包括从下至上依次层叠设置的第一支撑层、第一牺牲层、第二支撑层、第二牺牲层和第三支撑层，在同一刻蚀条件下，所述第一牺牲层和所述第二牺牲层的刻蚀速率不同；于所述堆叠结构内形成贯穿所述堆叠结构的电容孔；于所述电容孔内形成覆盖其内壁表面的第一导电层；去除部分所述第三支撑层以形成暴露所述第二牺牲层的开口；通过所述开口采用高选择比的刻蚀工艺去除所述第二牺牲层，保留所述第一牺牲层。根据本发明实施例的半导体器件的制备方法，能够提高产品良率。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件的制备方法和半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113161483A
申请号 ：
CN202110371659.8
公开（公告）日 ：
2021-07-23
申请日 ：
2021-04-07
授权号 ：
CN113161483B
授权日 ：
2022-06-10
发明人 ：
占康澍夏军宛强李森刘涛
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 ：
上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
孙佳胤
优先权 ：
CN202110371659.8
主分类号 ：
H01L49/02
IPC分类号 ：
H01L49/02 H01L27/108
法律状态
2022-06-10 ：
授权
2021-08-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 49/02
申请日 : 20210407
申请日 : 20210407
2021-07-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
