半导体器件的制备方法
实质审查的生效
摘要
本申请公开一种半导体器件的制备方法，能够缓解STI结构中的浅沟槽上下转角处过于尖锐时引发的尖端放电问题，使浅沟槽上下转角处更圆润，缓解因上下转角尖锐造成的应力和电性不良的问题。所述半导体器件的制备方法，包括以下步骤：提供衬底，所述衬底的上表面形成有沟槽；对所述沟槽的上转角和/或下转角进行离子掺杂，从而提高所述上转角和/或下转角处的衬底材料的被氧化活性，所述上转角对应至所述沟槽的侧壁与所述衬底的上表面之间构成的夹角，所述下转角对应至所述沟槽的底面和侧壁之间构成的夹角；对所述沟槽内表面进行氧化处理，至少在所述上转角和/或下转角处形成氧化衬底材料层。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114361010A
申请号 ：
CN202210266594.5
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2022-03-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
朱红波唐斌龙思阳黄家明胡良斌
申请人 ：
广州粤芯半导体技术有限公司
申请人地址 ：
广东省广州市黄埔区凤凰五路28号
代理机构 ：
深圳市嘉勤知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘婧
优先权 ：
CN202210266594.5
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 B08B3/08
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/02
申请日 : 20220318
申请日 : 20220318
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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