本发明提供一种半导体器件的制备方法，如下步骤：提供衬底，于所述衬底上形成具有多个第一窗口的掩膜层；形成介质层，介质层至少覆盖第一窗口的侧壁；形成第一光阻材料层，第一光阻材料层覆盖介质层及掩膜层，且填充第一窗口；图形化第一光阻材料层，形成具有图案的第一光阻层，暴露出介质层的顶面；以第一光阻层及掩膜层为掩膜，去除介质层，形成第二窗口；沿第二窗口去除所述衬底，形成图形化的衬底。本发明优点是，第一光阻材料层的材料特性使得在第一光阻材料层被图形化的过程中，第一光阻材料层需要被保留的部分并未破坏，衬底表面并未被暴露，则在后续形成图形化的衬底的过程中，衬底并未被损坏，大大提高了半导体器件的良率。