半导体器件及其制备方法
公开
摘要
本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体器件及其制备方法，该半导体器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底的一侧表面上生长有外延层；形成在所述外延层上的量子点传输层；形成在所述量子点传输层上的栅氧层。如此设置，本申请提供的半导体器件，其能够在保证栅极可靠性地基础上降低Vth。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114566546A
申请号 ：
CN202011357357.7
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2020-11-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
林苡任史波陈道坤曾丹
申请人 ：
珠海格力电器股份有限公司
申请人地址 ：
广东省珠海市前山金鸡西路
代理机构 ：
北京华夏泰和知识产权代理有限公司
代理人 ：
吴雪
优先权 ：
CN202011357357.7
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/06 H01L29/423 H01L21/336
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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