半导体器件的制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种半导体器件的制备方法，包括：提供衬底，在所述衬底上形成掩模层，依次刻蚀所述掩模层及所述衬底以形成若干沟槽；在所述沟槽的内壁形成介质层；在所述沟槽内填充第一氧化层；刻蚀所述介质层和所述第一氧化层的部分厚度及所述掩模层，刻蚀后所述第一氧化层的顶部高于所述衬底的表面；继续刻蚀所述介质层的部分厚度，刻蚀后所述介质层的顶部低于所述衬底的表面；以及，顺形在所述衬底、所述介质层和所述第一氧化层的表面形成第二氧化层，所述第一氧化层和所述第二氧化层构成场板，本发明提高了半导体器件的耐压能力。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334613A
申请号 ：
CN202210244348.X
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2022-03-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李荷莉于绍欣
申请人 ：
广州粤芯半导体技术有限公司
申请人地址 ：
广东省广州市黄埔区凤凰五路28号
代理机构 ：
上海思捷知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘畅
优先权 ：
CN202210244348.X
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 B08B3/08
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/02
申请日 : 20220314
申请日 : 20220314
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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