半导体器件的制备方法
授权
摘要
本发明提供一种半导体器件的制备方法，包括：在晶圆第一表面的沟槽内壁形成场氧化层，在晶圆的第一表面和第二表面沉积掺杂多晶硅层，并在选定温度下同时对两表面的掺杂多晶硅层进行氧化和退火工艺，氧化特定厚度的掺杂多晶硅层形成多晶硅氧化层，然后去除第一表面上的多晶硅氧化层及部分掺杂多晶硅层，至沟槽内掺杂多晶硅层的厚度符合器件性能要求。本发明在晶圆两表面沉积一定厚度的掺杂多晶硅层，对特定厚度的掺杂多晶硅层进行氧化的同时对掺杂多晶硅层进行退火，通过控制退火温度和氧化厚度，调节深沟槽晶圆在沟槽延伸方向和沟槽排列方向的翘曲度差异及深沟槽晶圆的整体翘曲度，解决了300mm晶圆上实现大规模量产深沟槽产品的瓶颈问题。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113964024A
申请号 ：
CN202111566892.8
公开（公告）日 ：
2022-01-21
申请日 ：
2021-12-21
授权号 ：
CN113964024B
授权日 ：
2022-06-03
发明人 ：
陈忠奎胡良斌唐斌薛英武
申请人 ：
广州粤芯半导体技术有限公司
申请人地址 ：
广东省广州市中新广州知识城九佛建设路333号自编701室
代理机构 ：
上海思捷知识产权代理有限公司
代理人 ：
冯启正
优先权 ：
CN202111566892.8
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 B08B3/08
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-06-03 ：
授权
2022-02-15 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/02
申请日 : 20211221
申请日 : 20211221
2022-01-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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