半导体器件的制备方法
实质审查的生效
摘要
本申请涉及一种半导体器件的制备方法，包括：在基底上形成栅极结构；利用掩膜板在基底上进行曝光和显影以使基底的第一区域暴露；在第一区域注入第一掺杂离子以在基底上形成阱区；调整光刻机的透镜的焦距，再次利用掩膜板在基底上进行曝光和显影以使基底的第二区域暴露；在第二区域注入第二掺杂离子以在基底上形成轻掺杂漏区。本申请提供的半导体器件的制备方法，在制备轻掺杂漏区时，能够避免等离子体轰击基底，对基底造成损伤，从而提高了半导体器件的制备良率。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551223A
申请号 ：
CN202210275982.X
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-03-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杨凯黄永彬陈佳玮杨柳青
申请人 ：
上海积塔半导体有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区云水路600号
代理机构 ：
华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
马梓洋
优先权 ：
CN202210275982.X
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 B08B3/08
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/02
申请日 : 20220321
申请日 : 20220321
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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