半导体器件的制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种半导体器件的制备方法，包括：提供衬底，在所述衬底上依次形成第一介质层、第二介质层和图形化的光刻胶层，所述图形化的光刻胶层具有开口；采用干法刻蚀工艺沿着所述开口刻蚀所述第二介质层以显露出所述第一介质层的表面，且所述开口延伸至所述第一介质层的表面；采用湿法刻蚀工艺继续沿着所述开口刻蚀所述第一介质层以显露出所述衬底的表面，且所述开口延伸至所述衬底的表面；以及，去除图形化的光刻胶层，在所述开口底部的所述衬底的表面形成场氧化层；本发明提高了场氧化层和衬底接触的界面的圆滑度，提高了器件的耐雪崩能力，从而提高了半导体器件的电性能。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551224A
申请号 ：
CN202210455052.2
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-04-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李超成
申请人 ：
广州粤芯半导体技术有限公司
申请人地址 ：
广东省广州市黄埔区凤凰五路28号
代理机构 ：
上海思捷知识产权代理有限公司
代理人 ：
汪春艳
优先权 ：
CN202210455052.2
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 B08B3/08
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/02
申请日 : 20220428
申请日 : 20220428
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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