半导体器件及其制备方法

授权

摘要

本公开提供了一种半导体器件及其制备方法。其中，所述半导体器件的制备方法，包括以下步骤：在衬底上溅射沉积AlN缓冲层；以及采用MOCVD工艺在所述AlN缓冲层上形成功能层，完成所述半导体器件的制备。本公开半导体器件及其制备方法，制备时间短，成本低廉，可大规模制备，提高了外延材料质量和器件性能，实现了大型工业MOCVD批量化生产。

基本信息

专利标题：

半导体器件及其制备方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN109841708A

申请号：

CN201711217590.3

公开（公告）日：

2019-06-04

申请日：

2017-11-28

授权号：

CN109841708B

授权日：

2022-05-31

发明人：

张韵赵璐张连

申请人：

中国科学院半导体研究所

申请人地址：

北京市海淀区清华东路甲35号

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

任岩

优先权：

CN201711217590.3

主分类号：

H01L33/00

IPC分类号：

H01L33/00 H01L33/12 H01L21/02 H01L21/324