本发明提供了一种半导体器件的制备方法，首先分别在衬底的第一区域和第二区域上形成复合纳米片结构和鳍片结构，然后可以先在每个复合纳米片结构及每个鳍片结构上依次形成第一栅氧化层及第一牺牲层，并去除每个复合纳米片结构及每个鳍片结构中未被所述第一栅氧化层及所述第一牺牲层覆盖的部分，去除第一牺牲层之后可以单独去除所述复合纳米片结构上的第一栅氧化层，并释放复合纳米片结构中的牺牲材料形成堆叠的纳米片层，并重新在纳米片层的外壁形成第二栅氧化层。由于所述第一栅氧化层和所述第二栅氧化层是分步形成的，可以根据需要形成厚度不同的所述第一栅氧化层和所述第二栅氧化层，满足鳍式场效应晶体管和纳米片晶体管各自的应用场合。