氮化铝外延结构，其制备方法以及半导体器件
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摘要
本发明公开了一种氮化铝外延结构，包括衬底以及生长于衬底上的超晶格缓冲层，所述超晶格缓冲层上具有外延生长的氮化铝外延层；其中，所述超晶格缓冲层包括多个依次叠置的缓冲单元，每个缓冲单元均由氮化硼缓冲层以及氮化铝缓冲层组成；所述超晶格缓冲层的起始层为氮化硼缓冲层，终止层为氮化铝缓冲层。本发明还公开了所述氮化铝外延结构的制备方法以及包含所述氮化铝外延结构的半导体器件。本发明提供的氮化铝外延结构，解决了在异质衬底上生长氮化铝外延层时由于晶格失配而导致的高缺陷密度和晶片开裂等技术问题，并可获得高质量的氮化铝单晶外延层。
基本信息
专利标题 ：
氮化铝外延结构，其制备方法以及半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114203529A
申请号 ：
CN202210145873.6
公开（公告）日 ：
2022-03-18
申请日 ：
2022-02-17
授权号 ：
CN114203529B
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
王国斌闫其昂
申请人 ：
江苏第三代半导体研究院有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城中北区23幢214室
代理机构 ：
苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
苏张林
优先权 ：
CN202210145873.6
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 C23C16/34
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-05-10 ：
授权
2022-04-05 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/02
申请日 : 20220217
申请日 : 20220217
2022-03-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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