功率半导体器件的外延结构及其制备方法
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摘要
本发明公开了一种功率半导体器件的外延结构及其制备方法，属于半导体技术领域。所述功率半导体器件的外延结构包括依次层叠的Si衬底、AlN缓冲层和GaN外延层，所述AlN缓冲层的第一表面上的悬浮键包括Al键、Ga键和N键中的一个或多个，所述第一表面为所述AlN缓冲层设置所述GaN外延层的表面。本发明通过改变AlN缓冲层设置GaN外延层的表面上的悬浮键，可以有效避免‑OH键和‑O键影响GaN晶体的生长，使得AlN缓冲层的各个区域上GaN晶体的生长速率基本一致，减少缺陷的形成，提高GaN外延层的晶体质量，实现高质量的GaN层，保证功率半导体器件的性能。
基本信息
专利标题 ：
功率半导体器件的外延结构及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110459600A
申请号 ：
CN201910542249.8
公开（公告）日 ：
2019-11-15
申请日 ：
2019-06-21
授权号 ：
CN110459600B
授权日 ：
2022-05-20
发明人 ：
王群郭炳磊葛永晖吕蒙普董彬忠李鹏
申请人 ：
华灿光电（苏州）有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市张家港市经济开发区晨丰公路
代理机构 ：
北京三高永信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
徐立
优先权 ：
CN201910542249.8
主分类号 ：
H01L29/20
IPC分类号 ：
H01L29/20 H01L21/02
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法律状态
2022-05-20 ：
授权
2019-12-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/20
申请日 : 20190621
申请日 : 20190621
2019-11-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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