红外LED外延结构及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种红外LED外延结构及其制备方法，其中所述红外LED外延结构从下至上依次包括：位于衬底上的缓冲层、腐蚀截止层、第一型半导体层、第一应力变化层、有源层、第二应力变化层以及第二型半导体层，其中，所述第一应力变化层为In组分渐变的结构层，所述第二应力变化层为In组分固定不变的结构层。本发明通过在有源层与第一型半导体层之间插入In组分渐变的第一应力变化层，在有源层与第二型半导体层之间插入In组分固定不变的第二应力变化层，能够提高有源层限制电子和空穴的能力，增强电子和空穴的辐射复合几率，进而可以提高LED的发光亮度。
基本信息
专利标题 ：
红外LED外延结构及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551672A
申请号 ：
CN202210165993.2
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-02-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
赖玉财李森林毕京锋
申请人 ：
厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市海沧区兰英路99号
代理机构 ：
上海思捷知识产权代理有限公司
代理人 ：
郑玮
优先权 ：
CN202210165993.2
主分类号 ：
H01L33/14
IPC分类号 ：
H01L33/14 H01L33/30 H01L33/00
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/14
申请日 : 20220221
申请日 : 20220221
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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