940nm红外LED的外延结构
授权
摘要
本实用新型提供一种940nm红外LED的外延结构，属于显示设备领域。外延结构从下至上依次包括衬底1、衬底缓冲层2、下覆盖层3、下波导层4、第一有源层5、晶格缓冲层6、第二有源层7、上波导层8、电流限制层9、上覆盖层10、窗口层11和欧姆接触层12，所述下覆盖层3包括第一覆盖层3‑1和第二覆盖层3‑2。本实用新型能提高外延结构的晶格质量、提供高势垒电子、减少阱垒的失配效应、提高有源层阱的质量、提高器件的发光效率、提高电子‑空穴的复合率而提升器件的发光效率、使器件电流可以均匀分布、提高欧姆接触质量，因而可以多方位地提高基于该外延结构的940nm红外LED的光电转换效率。
基本信息
专利标题 ：
940nm红外LED的外延结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020705748.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-30
授权号 ：
CN212011015U
授权日 ：
2020-11-24
发明人 ：
米洪龙杨杰关永莉杨鑫周王康申江涛陕志芳樊明明
申请人 ：
山西飞虹微纳米光电科技有限公司
申请人地址 ：
山西省临汾市洪洞县甘亭镇燕壁村
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202020705748.2
主分类号 ：
H01L33/12
IPC分类号 ：
H01L33/12 H01L33/14 H01L33/06 H01L33/44 H01L33/00
法律状态
2020-11-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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