一种红外发光二极管外延结构、芯片
授权
摘要
本实用新型提供了一种红外发光二极管外延结构、芯片，其中红外发光二极管外延结构包括：依次堆叠的衬底、N型欧姆接触层、N型电流扩展层、N型限制层、有源区、P型限制层、P型电流扩展层及复合欧姆接触层；所述复合欧姆接触层包括依次交替堆叠的P型欧姆接触层和改性层；所述改性层包括III‑V族化合物层，且禁带宽度大于所述P型欧姆接触层的禁带宽度。可提高发光二极管稳定性及抗老化性能。
基本信息
专利标题 ：
一种红外发光二极管外延结构、芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020443518.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-31
授权号 ：
CN211455711U
授权日 ：
2020-09-08
发明人 ：
林志伟陈凯轩蔡建九卓祥景林志园
申请人 ：
厦门乾照半导体科技有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市火炬高新区（翔安）产业区翔天路267号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202020443518.3
主分类号 ：
H01L33/02
IPC分类号 ：
H01L33/02 H01L33/14 H01L33/30 H01L33/46 H01L33/00
法律状态
2020-09-08 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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